半導體激光器又稱為激光二極管（guǎn），是采用半導體（tǐ）材料作為工作介質而（ér）產生受激發射的一類（lèi）激光器。常（cháng）用材料有砷化镓（GaAs）、硫化鎘（gé）（CdS）、磷化銦（yīn）（InP）、硫化鋅（ZnS）。激（jī）勵方式有電注入、電子束激勵和光泵浦激勵三種形式。
根據激光（guāng）介質和工作原理的（de）不同，半導體激光器可以分為以下幾類：
1.激光二極管（guǎn）
激光二極管的工作原理是，在PN結中注入電流（liú），電子與空穴在結區域內複合，釋放出激光光子。由於PN結的結區域非常小，因此可以產（chǎn）生非常密集的激光束。激光二極管（guǎn）的（de）波長通常在800nm至980nm之（zhī）間（jiān），適合於光（guāng）纖通信等應用。
2.垂直腔麵發射激光器(VCSEL)
垂直腔麵發射激光器(VCSEL)是一種在半導（dǎo）體芯片（piàn）上製造（zào）的激光器。它的激（jī）光輸出垂直於（yú）芯（xīn）片表麵，可以實現高效耦合（hé）到光纖或其他光（guāng）學元件中，因此在光通信、光存儲、光打（dǎ）印等領域（yù）有廣泛應用。
3.邊界發射激（jī）光器(EEL)
邊界發射激光器(EEL)是一種在PN結的邊界上發射激光的半導體激光器。它的結（jié）構類似於激光二極（jí）管，但是在PN結（jié）的（de）一側增加了一層反射鏡，使激光在PN結邊界上振蕩（dàng），EEL的優點是輸出功率高，波長（zhǎng）可調（diào），結構簡單等。
4.量子阱激（jī）光器
量（liàng）子阱激光器是一種利用量子阱結（jié）構的電子束純效應產生激光的半導體激光（guāng）器。量子阱激光器（qì）且（qiě）有波長可調，輸出功（gōng）率高，照聲低等優點，適用於光纖通信，醫療和光譜分析等領（lǐng）域（yù）。
5.垂直外延（yán）激光器
垂直外延激光器(VLEC)是（shì）一種采用外延生長技術製（zhì）造的半導體激光器。VIEC的結（jié）構（gòu）複（fù）雜，製造工藝難度較大，但是（shì）具有波長範圍寬，輸出功率高等優點，適用於高（gāo）速光通信，光存儲和光打（dǎ）印等領域。
VSCEL VS EEL
根（gēn）據激（jī）光投影的方向，半導體（tǐ）激光器可以分為兩類型：邊發射激（jī）光器（EEL）和垂直腔麵發射激光器（VCSEL）。
EEL有兩種主要類型：FP激（jī）光器和DFB激光器（qì）。在FP激光器中，激光二極管是激光器，其反射鏡隻是激光芯片末端的平麵裂開表（biǎo）麵。FP激（jī）光器主要用於低數（shù）據速率短距離傳輸；傳輸距離一般在20km以內，速率一般在1.25G以內。DFB激光二極管是在（zài）腔內具有光柵結構的激光器，其在整個腔中產生多（duō）次（cì）反射。它們主要用於高數據速率的長距離傳輸。
VCSEL與EEL相比，VCSEL激光（guāng）垂直於頂（dǐng）麵（miàn）射出，與激光由（yóu）邊（biān）緣射出的邊發射（shè）型激光器（EEL）有所不同。因此相較於邊射型激光器，VCSEL激光器具有低閾值電流、穩定單波長（zhǎng）工作、可高頻調製（zhì）、容易二（èr）維集成、沒有腔麵閾值損傷等優點，提供更（gèng）好的激光束質量，更高的耦合效率和空腔反射率。此外，VCSEL能夠以（yǐ）二維陣列（liè）進行，使單個芯（xīn）片可以包含數（shù）百個單獨的光源，以增加最大輸出功率和提升長遠的可靠性，EEL隻能在簡單的一維陣列中進行。
半導體激光器又稱為激光二極管，是采用半導體材料作為（wéi）工（gōng）作介質而產生受激發射的一類激光器。常用材料有砷化镓（GaAs）、硫化鎘（CdS）、磷化銦（InP）、硫化（huà）鋅（ZnS）。激勵方式有電注入、電子束激（jī）勵和光泵（bèng）浦激勵三種形式（shì）。
根據激光（guāng）介質和工作原理的不同，半導體激光器可以分為以下幾類：
1.激光二極管
激光二（èr）極管的工作原理是，在PN結（jié）中注入（rù）電流，電子與空（kōng）穴（xué）在結區域內複合，釋（shì）放（fàng）出激光光子。由於PN結（jié）的結區域非常小，因此可以產生非常（cháng）密集的激光束。激光二極管的波長通（tōng）常（cháng）在800nm至980nm之間，適合於光纖通信等應用。
2.垂直腔麵發射激光器(VCSEL)
垂（chuí）直腔麵發（fā）射激光器（qì）(VCSEL)是一種在半導體芯片（piàn）上製造的激光器。它的激光輸出垂直於芯片表麵，可以實現高效耦合到光纖或其他光學元件中，因此在光通（tōng）信、光存儲、光打印等領域有廣泛應（yīng）用。
3.邊界發射激光器(EEL)
邊界發射激光（guāng）器(EEL)是一種在PN結的邊界上發射激光的半導體激（jī）光器。它的結構（gòu）類似於激（jī）光二極管，但是在PN結的一側增加了一層反射鏡，使激光在PN結邊界上振（zhèn）蕩（dàng），EEL的優點是輸出功率高，波（bō）長可調，結構簡單等。
4.量子阱（jǐng）激光器
量子阱激（jī）光器是一（yī）種利用量子阱結構的電子束純效應產生激（jī）光的半導體激光器。量子阱激光器且（qiě）有波長可調，輸出功率高，照聲（shēng）低等（děng）優點（diǎn），適用（yòng）於（yú）光纖通信，醫（yī）療（liáo）和光（guāng）譜分析等領域。
5.垂直外延激光器
垂直外延（yán）激光器(VLEC)是一種采用外延生長技術製造的半導體激光器（qì）。VIEC的結構複雜，製造工藝難度較大，但是具有波長範圍寬，輸出功率高等優點，適用於高速（sù）光通信，光存儲和光打印等（děng）領域。
VSCEL VS EEL
根據激光（guāng）投影的方向，半導體激光器可以分為兩類型：邊發射激光器（EEL）和垂直腔麵發射激光器（VCSEL）。
EEL有兩（liǎng）種主要類型：FP激光器（qì）和DFB激光器。在FP激光（guāng）器中，激光二極管是激光器，其反（fǎn）射（shè）鏡隻是激光芯（xīn）片末端的（de）平麵裂開表麵。FP激光器主（zhǔ）要用於低數據速率短距離傳（chuán）輸；傳輸（shū）距離一（yī）般在20km以內，速率一般在1.25G以內。DFB激光二（èr）極（jí）管是在腔內具（jù）有（yǒu）光柵結構的激光（guāng）器（qì），其在整個（gè）腔中產生多次反射。它們主要用於高數據速（sù）率的長距離傳輸（shū）。
VCSEL與EEL相比，VCSEL激光垂直於頂麵射出，與激光由邊緣射出的邊發射型激光器（EEL）有所不同。因（yīn）此相較於邊射型激光器，VCSEL激光器具有（yǒu）低閾值電流（liú）、穩定單（dān）波長工作（zuò）、可高頻調製、容易二維集成、沒（méi）有腔麵閾值損傷等優點，提（tí）供更好的激光束質量，更高的耦合效率和空腔反射率。此外，VCSEL能夠以（yǐ）二維陣列進行，使單（dān）個芯片（piàn）可以包含數百個單獨的光源，以（yǐ）增加最大輸出功率和提升（shēng）長遠的可靠性，EEL隻能在簡單的（de）一維陣列中進行。
其中精密光學元件包括窗口（kǒu）片、反射鏡、棱（léng）鏡（jìng）、偏振器、柱麵鏡、球麵透鏡、非球麵透鏡、波片、分光鏡、衍射（shè）光柵及其他（tā）特色光學元件等（děng），正（zhèng）是激（jī）光雷達整機中需要的光學元件。
